存储芯片作为数字经济的“底层基石”，广泛应用于手机、服务器、新能源汽车、AI设备等领域，其产业发展水平直接影响我国电子信息产业的竞争力。当前，国内存储芯片正迎来“政策+市场”双轮驱动的关键机遇期。

从政策端看，国家将存储芯片纳入“十四五”软件和信息技术服务业发展规划、“强基计划”等重点支持领域，国家大基金一期、二期持续加码半导体产业投资，推动存储芯片研发与产能建设。2023年国内存储芯片市场规模已超5000亿元，占全球比重约30%，但自给率仍不足20%（高端产品如DRAM、3D NAND依赖进口），国产替代空间巨大。

市场需求层面，5G基站普及、AI算力爆发、新能源汽车渗透率提升（单车存储需求增长3-5倍）及物联网设备激增（年出货量超20亿台），推动存储需求持续高增。以NAND Flash为例，2025年全球需求预计达2000亿GB，国内企业（如长江存储）的128层、232层3D NAND技术已接近国际先进水平，产能加速释放。

技术突破上，国内企业正加速追赶：长鑫存储的19nm DRAM进入客户验证阶段，打破海外垄断；兆易创新的NOR Flash全球市占率第三（约15%），覆盖消费电子、工业控制等场景；江波龙、德明利等封装测试企业通过整合产业链，提升配套能力。

尽管面临国际巨头技术封锁（如EUV光刻机限制）、材料/设备国产化率低（光刻胶、高端靶材依赖进口）等挑战，但随着国内“产学研用”协同深化（如高校联合攻关存储材料、设备），叠加“东数西算”工程、数字经济新基建的需求牵引，存储芯片有望在3-5年内实现从“部分替代”到“局部领先”的跨越，成为我国半导体产业自主可控的核心突破口。